神經(jīng)認知功能受損是精神分裂癥的核心特征。認知障礙始于發(fā)病前，并持續多年，導致社會(huì )功能障礙和整體生活質(zhì)量下降。已有研究表明，感覺(jué)門(mén)控缺陷可能是精神分裂癥患者認知損害的敏感生物標志物，重復聽(tīng)覺(jué)刺激期間記錄的腦電圖(EEG)P50成分的異?？梢栽u估這種抑制缺陷。這種缺陷的神經(jīng)化學(xué)機制表現為編碼α7煙堿型乙酰膽堿受體(nAChR)的基因15q14位點(diǎn)的遺傳多態(tài)性，該受體的激動(dòng)劑是改善精神分裂癥患者感覺(jué)門(mén)控和認知障礙的潛在療法。托烷司瓊是一種治療化療和手術(shù)麻醉引起的惡心和嘔吐的常用藥物，既是一種有效的5-羥色胺-3受體拮抗劑，也是一種高親和力的nAChR部分激動(dòng)劑。前期研究證明，每日劑量為5毫克、10毫克和20毫克的托烷司瓊在治療10天后可以顯著(zhù)改善患者的總體認知缺陷和P50抑制缺陷。然而不同劑量的托烷司瓊對慢性精神分裂癥患者認知和感覺(jué)門(mén)控缺陷的即時(shí)影響還不清楚。 

　　中國科學(xué)院心理健康重點(diǎn)實(shí)驗室張向陽(yáng)研究組的科研人員針對上述問(wèn)題開(kāi)展研究。研究納入40名精神分裂癥非吸煙住院患者，通過(guò)比較患者在使用5毫克、10毫克或20毫克托烷司瓊治療一天后，對其認知和感覺(jué)門(mén)控缺陷的即時(shí)影響。研究采用可重復神經(jīng)心理狀態(tài)評定量表(RBANS)評定認知功能，采用條件-測試P50范式和事件相關(guān)電位(ERP)技術(shù)記錄P50成分，以此探究精神分裂癥患者P50感覺(jué)門(mén)控與認知功能障礙的關(guān)系。 

圖1：治療后RBANS總分的改善與S1潛伏期(第1天評分減去基線(xiàn))的改善之間的關(guān)系

圖2：用安慰劑或托烷司瓊治療1天后，RBANS總分和P50門(mén)控比率的變化呈平坦的劑量-反應曲線(xiàn)

　　研究發(fā)現，治療一天后，托烷司瓊20 mg和5 mg組的RBANS總分及10 mg組的即刻記憶力均顯著(zhù)高于安慰劑組。治療后5 mg組和10 mg組的P50比值均小于安慰劑組。此外，RBANS總分的改善與S1潛伏期的增加相關(guān)，即時(shí)記憶分數的增加與S2波幅的降低相關(guān)。 

　　該研究表明，一天的托烷司瓊治療可以改善患者的認知和P50抑制缺陷，這表明長(cháng)期使用α7 nAChR激動(dòng)劑有望治療精神分裂癥患者的認知及感覺(jué)門(mén)控缺陷。 

　　該研究受?chē)易匀豢茖W(xué)基金項目(81371477)和中國科學(xué)院項目支持。 

　　研究結果已發(fā)表于Neuropsychopharmacology: https://doi.org/10.1038/s41386-020-0685-0 

　　論文信息： 

　　Xia L, Liu L, Hong X, Wang D, Wei G, Wang J, Zhou H, Xu H, Tian Y, Dai Q, Wu HE, Chang C, Wang L, Kosten TR, Zhang XY, One-day tropisetron treatment improves cognitive deficits and P50 inhibition deficits in schizophrenia, Neuropsychopharmacology, Doi: 10.1038/s41386-020-0685-0.